Incidence des Défauts Résistifs dans les Circuits de Précharge des Mémoires SRAM - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier

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Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Incidence des Défauts Résistifs dans les Circuits de Précharge des Mémoires SRAM

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2

Luigi Dilillo

Fonction : Auteur
PersonId : 172470
IdHAL : luigi-dilillo
ORCID : 0000-0002-1295-2688
IdRef : 18891885X

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Patrick Girard

Fonction : Auteur
PersonId : 740458
IdHAL : patrick-girard-lirmm
ORCID : 0000-0003-0722-8772

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Serge Pravossoudovitch

Fonction : Auteur
PersonId : 938342

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Arnaud Virazel

Fonction : Auteur
PersonId : 18065
IdHAL : arnaud-virazel
ORCID : 0000-0001-7398-7107
IdRef : 068454724

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Magali Bastian Hage-Hassan

Fonction : Auteur

Infineon Technologies France

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Christine Carvalho De Matos : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00106529

Soumis le : lundi 16 octobre 2006-08:38:44

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:48

Dates et versions

lirmm-00106529 , version 1 (16-10-2006)

Identifiants

HAL Id : lirmm-00106529 , version 1

Citer

Luigi Dilillo, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, Magali Bastian Hage-Hassan. Incidence des Défauts Résistifs dans les Circuits de Précharge des Mémoires SRAM. JNRDM 2005 - 8e Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, May 2005, Paris, France. ⟨lirmm-00106529⟩

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