A Compact DC Model of Gate Oxide Short Defect

R. Bouchakour J.M. Portal 1 Jean-Marc Galliere 1 Florence Azaïs 2 Yves Bertrand 2 Michel Renovell 2
1 LIRMM - Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
2 SysMIC - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
LIRMM - Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Type de document :
Article dans une revue
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2004, 72 (1-4), pp.140-148
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : lundi 23 octobre 2006 - 07:43:12
Dernière modification le : mercredi 18 juillet 2018 - 10:54:13

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  • HAL Id : lirmm-00108564, version 1

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Citation

R. Bouchakour, J.M. Portal, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand, et al.. A Compact DC Model of Gate Oxide Short Defect. Microelectronic Engineering, Elsevier, 2004, 72 (1-4), pp.140-148. 〈lirmm-00108564〉

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