A Compact DC Model of Gate Oxide Short Defect

R. Bouchakour J.M. Portal 1 Jean-Marc Galliere 1 Florence Azaïs 2 Yves Bertrand 2 Michel Renovell 2
1 LIRMM - Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
2 SysMIC - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
LIRMM - Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Type de document :
Article dans une revue
Microelectronic Engineering, Elsevier, 2004, 72 (1-4), pp.140-148
Liste complète des métadonnées
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00108564
Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : lundi 23 octobre 2006 - 07:43:12
Dernière modification le : vendredi 20 juillet 2018 - 12:34:01

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00108564, version 1

Collections

SYSMIC | LIRMM | LIRMM_MIC | MIC | MIPS | UNIV-MONTPELLIER

Citation

R. Bouchakour, J.M. Portal, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand, et al.. A Compact DC Model of Gate Oxide Short Defect. Microelectronic Engineering, Elsevier, 2004, 72 (1-4), pp.140-148. 〈lirmm-00108564〉

Exporter

BibTeX TEI DC DCterms EndNote

Partager

Métriques

Consultations de la notice

66

Contact

support.ccsd.cnrs.fr
hal.support@ccsd.cnrs.fr
Logo CCSD