A Compact DC Model of Gate Oxide Short Defect

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Microelectronic Engineering, Elsevier, 2004, 72 (1-4), pp.140-148
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : lundi 23 octobre 2006 - 07:43:12
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:18

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Citation

R. Bouchakour, J.M. Portal, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand, et al.. A Compact DC Model of Gate Oxide Short Defect. Microelectronic Engineering, Elsevier, 2004, 72 (1-4), pp.140-148. 〈lirmm-00108564〉

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