Resistive-Open Defect Injection in SRAM Core-Cell: Analysis and Comparison Between 0.13 um and 90 nm Technologies - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Resistive-Open Defect Injection in SRAM Core-Cell: Analysis and Comparison Between 0.13 um and 90 nm Technologies

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Isabelle Gouat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00136906

Soumis le : jeudi 15 mars 2007-16:59:31

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:48

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00136906 , version 1 (15-03-2007)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00136906 , version 1

Citer

Luigi Dilillo, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, Magali Bastian Hage-Hassan. Resistive-Open Defect Injection in SRAM Core-Cell: Analysis and Comparison Between 0.13 um and 90 nm Technologies. DAC: Design Automation Conference, Jun 2005, Anaheim, CA, United States. pp.857-862. ⟨lirmm-00136906⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS SYSMIC LIRMM LIRMM_MIC MIC MIPS UNIV-MONTPELLIER
78 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More