Dynamic Two-Cell Incorrect Read Fault due to Resistive-Open Defects in the Sense Amplifiers of SRAMs - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Dynamic Two-Cell Incorrect Read Fault due to Resistive-Open Defects in the Sense Amplifiers of SRAMs

Résumé

N/A

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Martine Peridier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00158116

Soumis le : jeudi 28 juin 2007-10:01:18

Dernière modification le : vendredi 28 avril 2023-14:27:53

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00158116 , version 1 (28-06-2007)

Identifiants

Citer

Alexandre Ney, Patrick Girard, Christian Landrault, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, et al.. Dynamic Two-Cell Incorrect Read Fault due to Resistive-Open Defects in the Sense Amplifiers of SRAMs. ETS: European Test Symposium, May 2007, Freiburg, Germany. pp.97-104, ⟨10.1109/ETS.2007.19⟩. ⟨lirmm-00158116⟩

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