On the Use of LVTPNP in ESD Protection Structures - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

On the Use of LVTPNP in ESD Protection Structures

Résumé

In this paper, design aspects, protection capabilities and applications of Low-Voltage-Triggered bipolar PNP in comparison with grounded-gate NMOS protection are presented. Experimental results are obtained in an embedded 0.18 μm salicided CMOS process.
Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00199246 , version 1 (18-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00199246 , version 1

Citer

Antoine Rivière, Philippe Coll, David Bernard, Pascal Nouet, Florence Azaïs. On the Use of LVTPNP in ESD Protection Structures. IEW'07: International Electrostatic Discharge Workshop, May 2007, Lake Tahoe, CA, United States. ⟨lirmm-00199246⟩
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