Interconnect Capacitance Modelling in a VDSM CMOS Technology - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Chapitre D'ouvrage Année : 2002

Interconnect Capacitance Modelling in a VDSM CMOS Technology

David Bernard
  • Fonction : Auteur
ATMEL [Rousset]
Christian Landrault
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 845061
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
Pascal Nouet
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
CV

Résumé

This paper introduces a set of analytical formulations for 3D modelling of inter- and intra-layer capacitance. Based on real silicon data, we have developed and validated efficient and accurate analytical models that are an helpful alternative to lookup tables or numerical simulations.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Fichier principal
Vignette du fichier
978-0-387-35597-9_12.pdf (1.85 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Christine Carvalho De Matos  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00268482

Soumis le : mardi 4 octobre 2022-17:12:53

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:28

Archivage à long terme le : jeudi 5 janvier 2023-19:49:06

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

lirmm-00268482 , version 1 (04-10-2022)

Identifiants

Citer

David Bernard, Christian Landrault, Pascal Nouet. Interconnect Capacitance Modelling in a VDSM CMOS Technology. SOC Design Methodologies, 90, Kluwer Academic Publishers, pp.133-144, 2002, IFIP — The International Federation for Information Processing, 978-1-4757-6530-4. ⟨10.1007/978-0-387-35597-9_12⟩. ⟨lirmm-00268482⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS SYSMIC LIRMM LIRMM_MIC MIC MIPS UNIV-MONTPELLIER
79 Consultations
17 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More