GOSMOS: A Gate Oxide Short Defect Embedded in a MOS Compact Model

Type de document :
Communication dans un congrès
LATW: Latin American Test Workshop, Feb 2003, Natal, Brazil. 4th IEEE Latin American Test Workshop, 2003
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : jeudi 3 avril 2008 - 08:21:57
Dernière modification le : vendredi 20 juillet 2018 - 12:34:01

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  • HAL Id : lirmm-00269604, version 1

Citation

Michel Renovell, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand, Jean-Michel Portal, et al.. GOSMOS: A Gate Oxide Short Defect Embedded in a MOS Compact Model. LATW: Latin American Test Workshop, Feb 2003, Natal, Brazil. 4th IEEE Latin American Test Workshop, 2003. 〈lirmm-00269604〉

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