Delay Testing of MOS Transistor with Gate Oxide Short - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier

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Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Delay Testing of MOS Transistor with Gate Oxide Short

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1

Michel Renovell

Fonction : Auteur
PersonId : 20711
IdHAL : michel-renovell
ORCID : 0000-0002-3896-8231
IdRef : 031539130

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Jean-Marc J.-M. Galliere

Fonction : Auteur
PersonId : 4454
IdHAL : jean-marc-galliere
ORCID : 0000-0001-8753-3392
IdRef : 079495613

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Florence Azaïs

Fonction : Auteur
PersonId : 8583
IdHAL : florence-azais
ORCID : 0000-0001-6458-5018
IdRef : 114259453

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Yves Bertrand

Fonction : Auteur
PersonId : 938340

Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques

Domaines

Informatique [cs]

Christine Carvalho De Matos : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00269641

Soumis le : jeudi 3 avril 2008-08:22:05

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Dates et versions

lirmm-00269641 , version 1 (03-04-2008)

Identifiants

HAL Id : lirmm-00269641 , version 1

Citer

Michel Renovell, Jean-Marc J.-M. Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. Delay Testing of MOS Transistor with Gate Oxide Short. ATS: Asian Test Symposium, Nov 2003, Xian, China. pp.168-173. ⟨lirmm-00269641⟩

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