Delay Testing of MOS Transistor with Gate Oxide Short - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Delay Testing of MOS Transistor with Gate Oxide Short

Domaines

Informatique [cs]

Christine Carvalho De Matos  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00269641

Soumis le : jeudi 3 avril 2008-08:22:05

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00269641 , version 1 (03-04-2008)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00269641 , version 1

Citer

Michel Renovell, Jean-Marc J.-M. Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. Delay Testing of MOS Transistor with Gate Oxide Short. ATS: Asian Test Symposium, Nov 2003, Xian, China. pp.168-173. ⟨lirmm-00269641⟩

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