Influence of Gate Oxide Short Defects on the Stability of Minimal Sized SRAM Core-Cell by Applying Non-Split Models - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Influence of Gate Oxide Short Defects on the Stability of Minimal Sized SRAM Core-Cell by Applying Non-Split Models

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Martine Peridier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00370798

Soumis le : mercredi 25 mars 2009-14:09:12

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:51

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00370798 , version 1 (25-03-2009)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00370798 , version 1

Citer

Jean-Marc J.-M. Galliere, Florence Azaïs, Michel Renovell, Luigi Dilillo. Influence of Gate Oxide Short Defects on the Stability of Minimal Sized SRAM Core-Cell by Applying Non-Split Models. DTIS: Design and Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, 2009, Cairo, Egypt. pp.225-229. ⟨lirmm-00370798⟩

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