Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2009

Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Martine Peridier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00435866

Soumis le : mercredi 25 novembre 2009-10:32:19

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

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Dates et versions

lirmm-00435866 , version 1 (25-11-2009)

Identifiants

Citer

Jean-Robert Manouvrier, Pascal Fonteneau, Charles-Alexandre Legrand, Pascal Nouet, Florence Azaïs. Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain. Microelectronics Reliability, 2009, 49 (12), pp.1424-1432. ⟨10.1016/j.microrel.2009.06.056⟩. ⟨lirmm-00435866⟩

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