A Memory Fault Simulator for Radiation-Induced Effects in SRAMs

Type de document :
Communication dans un congrès
ATS: Asian Test Symposium, 2010, Shanghai, China. 19th IEEE Asian Test Symposium, pp.100-105, 2010
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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00545102
Contributeur : Martine Peridier <>
Soumis le : jeudi 9 décembre 2010 - 15:53:40
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:19

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00545102, version 1

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Citation

Paolo Rech, Alberto Bosio, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, et al.. A Memory Fault Simulator for Radiation-Induced Effects in SRAMs. ATS: Asian Test Symposium, 2010, Shanghai, China. 19th IEEE Asian Test Symposium, pp.100-105, 2010. 〈lirmm-00545102〉

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