A Memory Fault Simulator for Radiation-Induced Effects in SRAMs - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

A Memory Fault Simulator for Radiation-Induced Effects in SRAMs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Martine Peridier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00545102

Soumis le : jeudi 9 décembre 2010-15:53:40

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:53

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00545102 , version 1 (09-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00545102 , version 1

Citer

Paolo Rech, Alberto Bosio, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, et al.. A Memory Fault Simulator for Radiation-Induced Effects in SRAMs. ATS: Asian Test Symposium, 2010, Shanghai, China. pp.100-105. ⟨lirmm-00545102⟩

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