Neutron-Induced Failure in Silicon IGBTs, Silicon Super-Junction and SiC MOSFETs - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2012

Neutron-Induced Failure in Silicon IGBTs, Silicon Super-Junction and SiC MOSFETs

Alessio Griffoni
  • Fonction : Auteur
IMEC
Jeroen van Duivenbode
  • Fonction : Auteur
Electromechanics and Power Electronics
Dimitri Linten
  • Fonction : Auteur
IMEC
Eddy Simoen
  • Fonction : Auteur
IMEC
Paolo Rech
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 938758
Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Luigi Dilillo
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
CV
Frédéric Wrobel
Radiations et composants
Institut d’Electronique et des Systèmes
CV
Patrick Verbist
  • Fonction : Auteur
IMEC
Guido Groeseneken
  • Fonction : Auteur
IMEC

Résumé

50 MeV and 80 MeV neutron-induced failure is investigated for several types of power devices (super-junction, IGBT and SiC) from different vendors. A strong dependence on the device type and orientation is observed.

Domaines

Electronique

Luigi Dilillo  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00805039

Soumis le : mardi 26 mars 2013-19:22:31

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-12:28:53

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00805039 , version 1 (26-03-2013)

Identifiants

Citer

Alessio Griffoni, Jeroen van Duivenbode, Dimitri Linten, Eddy Simoen, Paolo Rech, et al.. Neutron-Induced Failure in Silicon IGBTs, Silicon Super-Junction and SiC MOSFETs. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59 (4), pp.866-871. ⟨10.1109/TNS.2011.2180924⟩. ⟨lirmm-00805039⟩

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