Magnetic memory (MRAM), a new area for 2D and 3D SoC/SiP design - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Magnetic memory (MRAM), a new area for 2D and 3D SoC/SiP design

Lionel Torres
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
Weisheng Zhao
  • Fonction : Auteur
IEF
Institut d'électronique fondamentale

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Lionel Torres  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00809835

Soumis le : mardi 9 avril 2013-21:20:21

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:57

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00809835 , version 1 (09-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00809835 , version 1

Citer

Lionel Torres, Weisheng Zhao. Magnetic memory (MRAM), a new area for 2D and 3D SoC/SiP design. ACM Great Lakes Symposium on VLSI 2011, Switzerland. ⟨lirmm-00809835⟩

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