Magnetic memory (MRAM), a new area for 2D and 3D SoC/SiP design

Lionel Torres 1 Weisheng Zhao 2, 3
1 SysMIC - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
LIRMM - Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Type de document :
Communication dans un congrès
ACM Great Lakes Symposium on VLSI 2011, Switzerland. 2011, 〈http://www.glsvlsi.org〉
Liste complète des métadonnées

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00809835
Contributeur : Lionel Torres <>
Soumis le : mardi 9 avril 2013 - 21:20:21
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:19

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00809835, version 1

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Citation

Lionel Torres, Weisheng Zhao. Magnetic memory (MRAM), a new area for 2D and 3D SoC/SiP design. ACM Great Lakes Symposium on VLSI 2011, Switzerland. 2011, 〈http://www.glsvlsi.org〉. 〈lirmm-00809835〉

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