Sensitivity to fault laser injection: a comparison between 28nm bulk and FD-SOI technology - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Sensitivity to fault laser injection: a comparison between 28nm bulk and FD-SOI technology

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Giorgio Di Natale  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01234094

Soumis le : jeudi 26 novembre 2015-11:14:15

Dernière modification le : mardi 27 août 2024-12:46:18

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-01234094 , version 1 (26-11-2015)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-01234094 , version 1

Citer

Stephan de Castro, Giorgio Di Natale, Marie-Lise Flottes, Bruno Rouzeyre. Sensitivity to fault laser injection: a comparison between 28nm bulk and FD-SOI technology. TRUDEVICE Workshop, Sep 2015, Saint-Malo, France. ⟨lirmm-01234094⟩

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