Effects of Thermal Neutron Irradiation on a Self-Refresh DRAM - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Effects of Thermal Neutron Irradiation on a Self-Refresh DRAM

Résumé

In this study, static and dynamic test methods were used to define the response of a self-refresh DRAM under thermal neutron irradiation. The neutron-induced failures were investigated and characterized by event cross-sections, soft-error rate and bitmaps evaluations, leading to an identification of permanent and temporarily stuck cells, block errors, and single-bit upsets.

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique Systèmes embarqués
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Soumis le : mardi 28 septembre 2021-18:58:33

Dernière modification le : mercredi 30 octobre 2024-19:42:19

Archivage à long terme le : mercredi 29 décembre 2021-19:34:56

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Dates et versions

lirmm-03025721 , version 1 (28-09-2021)

Identifiants

Citer

Lucas Matana Luza, Daniel Soderstrom, Helmut Puchner, Ruben Garcia Alia, Manon Letiche, et al.. Effects of Thermal Neutron Irradiation on a Self-Refresh DRAM. DTIS 2020 - 15th International Conference on Design & Technology of Integrated Systems in Nanoscale Era, Apr 2020, Marrakech, Morocco. pp.1-6, ⟨10.1109/DTIS48698.2020.9080918⟩. ⟨lirmm-03025721⟩

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