Electrical Modeling of LSCRs in Deep Submicron CMOS Technologies for Circuit-Level Simulation of ESD

Type de document :
Communication dans un congrès
BCTM'03: Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Toulouse (France), pp. 97-100, 2003
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : jeudi 3 avril 2008 - 08:21:58
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:19

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Benjamin Caillard, Florence Azaïs, Pascal Nouet, Stéphanie Dournelle, Pascal Salomé. Electrical Modeling of LSCRs in Deep Submicron CMOS Technologies for Circuit-Level Simulation of ESD. BCTM'03: Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Toulouse (France), pp. 97-100, 2003. 〈lirmm-00269608〉

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