Modeling the Random Parameter Effects in a Non-Split Model of Gate Oxide Short

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Journal of Electronic Testing, Springer Verlag, 2003, 19 (4), pp. 377-386
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : jeudi 3 avril 2008 - 08:22:38
Dernière modification le : vendredi 20 juillet 2018 - 12:34:01

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  • HAL Id : lirmm-00269754, version 1

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Michel Renovell, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. Modeling the Random Parameter Effects in a Non-Split Model of Gate Oxide Short. Journal of Electronic Testing, Springer Verlag, 2003, 19 (4), pp. 377-386. 〈lirmm-00269754〉

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