Cellule de mémoire comprenant une mémoire volatile et une mémoire non volatile - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Access content directly
Patents Year : 2011

Speicherzelle mit flüchtigem und nichtflüchtigem speicher

Memory cell with volatile and non-volatile storage

Cellule de mémoire comprenant une mémoire volatile et une mémoire non volatile

Abstract

The invention concerns a memory device comprising at least one memory cell comprising: first and second pairs of cross-coupled transistors; and a first resistance switching element (202) coupled between a first supply voltage (VDD, GND) and a first transistor of said first pair of transistors and programmed to have one of first and second resistances; and control circuitry adapted to store a data value (DNV) at said first and second storage nodes by coupling said first storage node to said second supply voltage (VDD, GND), the data value being determined by the programmed resistance of the first resistance switching element.
L'invention concerne un dispositif à mémoire comportant au moins une cellule de mémoire qui comprend : une première et une seconde paire de transistors à couplage croisé ; un premier élément de commutation de résistance (202) qui est couplé entre une première tension d'alimentation (VDD, GND) et un premier transistor de la première paire de transistors et qui est programmé pour avoir une première ou une seconde résistance ; et des circuits de commande conçus pour stocker une valeur de données (DNV) dans un premier et un second noeud de stockage grâce au couplage du premier noeud de stockage à la seconde tension d'alimentation (VDD, GND), la valeur de données étant déterminée par la résistance programmée du premier élément de commutation de résistance.
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Dates and versions

lirmm-00861518 , version 1 (12-09-2013)

Identifiers

  • HAL Id : lirmm-00861518 , version 1

Cite

Yoann Guillemenet, Lionel Torres. Cellule de mémoire comprenant une mémoire volatile et une mémoire non volatile. France, N° de brevet: EP2012061267W; FR1155191A. 2011. ⟨lirmm-00861518⟩
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