A Compact Model for Electrical Simulation of MOS Transistor with Gate Oxide Short Defect

Type de document :
Rapport
04080, 2004
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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00109221
Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : mardi 24 octobre 2006 - 07:42:09
Dernière modification le : vendredi 20 juillet 2018 - 12:34:01

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  • HAL Id : lirmm-00109221, version 1

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Citation

Michel Renovell, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand, J.M. Portal. A Compact Model for Electrical Simulation of MOS Transistor with Gate Oxide Short Defect. 04080, 2004. 〈lirmm-00109221〉

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