A Non-Split Model for Realistic Gate Oxide Short in CMOS Technology

keyword : CMOS
Type de document :
Communication dans un congrès
DCIS'02: 17th International Conference on Design of Circuits and Integrated Systems, Santander (Spain), pp.197-204, 2002
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : mardi 1 avril 2008 - 09:27:18
Dernière modification le : jeudi 22 février 2018 - 16:50:03

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  • HAL Id : lirmm-00268432, version 1

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Citation

Michel Renovell, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. A Non-Split Model for Realistic Gate Oxide Short in CMOS Technology. DCIS'02: 17th International Conference on Design of Circuits and Integrated Systems, Santander (Spain), pp.197-204, 2002. 〈lirmm-00268432〉

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