A Non-Split Model for Realistic Gate Oxide Short in CMOS Technology - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

A Non-Split Model for Realistic Gate Oxide Short in CMOS Technology

Mots clés

CMOS

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Christine Carvalho De Matos  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00268432

Soumis le : mardi 1 avril 2008-09:27:18

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00268432 , version 1 (01-04-2008)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00268432 , version 1

Citer

Michel Renovell, Jean-Marc J.-M. Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. A Non-Split Model for Realistic Gate Oxide Short in CMOS Technology. DCIS: Design of Circuits and Integrated Systems, 2002, Santander, Spain. pp.197-204. ⟨lirmm-00268432⟩

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