Non-Linear and Non-Split Transistor MOS Model for Gate Oxyde Short

Type de document :
Communication dans un congrès
DBT'02: IEEE International Workshop on Defect Based Testing, Monterey (USA), France. pp. 11-16, 2002
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : mercredi 2 avril 2008 - 16:46:02
Dernière modification le : jeudi 22 février 2018 - 16:50:03

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  • HAL Id : lirmm-00269333, version 1

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Citation

Michel Renovell, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. Non-Linear and Non-Split Transistor MOS Model for Gate Oxyde Short. DBT'02: IEEE International Workshop on Defect Based Testing, Monterey (USA), France. pp. 11-16, 2002. 〈lirmm-00269333〉

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