Non-Linear and Non-Split Transistor MOS Model for Gate Oxyde Short - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Non-Linear and Non-Split Transistor MOS Model for Gate Oxyde Short

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Christine Carvalho De Matos  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00269333

Soumis le : mercredi 2 avril 2008-16:46:02

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:50

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00269333 , version 1 (02-04-2008)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00269333 , version 1

Citer

Michel Renovell, Jean-Marc J.-M. Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. Non-Linear and Non-Split Transistor MOS Model for Gate Oxyde Short. DBT: Defect Based Testing, Apr 2002, Monterey, CA, United States. pp.11-16. ⟨lirmm-00269333⟩

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