Non-Linear and Non-Split Transistor MOS Model for Gate Oxyde Short

Type de document :
Communication dans un congrès
DBT: Defect Based Testing, Apr 2002, Monterey, CA, United States. IEEE International Workshop on Defect Based Testing, pp.11-16, 2002
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : mercredi 2 avril 2008 - 16:46:02
Dernière modification le : vendredi 20 juillet 2018 - 12:34:01

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  • HAL Id : lirmm-00269333, version 1

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Citation

Michel Renovell, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Yves Bertrand. Non-Linear and Non-Split Transistor MOS Model for Gate Oxyde Short. DBT: Defect Based Testing, Apr 2002, Monterey, CA, United States. IEEE International Workshop on Defect Based Testing, pp.11-16, 2002. 〈lirmm-00269333〉

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