Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain

Type de document :
Article dans une revue
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49 (12), pp.1424-1432. 〈10.1016/j.microrel.2009.06.056〉
Liste complète des métadonnées

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00435866
Contributeur : Martine Peridier <>
Soumis le : mercredi 25 novembre 2009 - 10:32:19
Dernière modification le : jeudi 24 mai 2018 - 15:59:24

Identifiants

Collections

Citation

Jean-Robert Manouvrier, Pascal Fonteneau, Charles-Alexandre Legrand, Pascal Nouet, Florence Azaïs. Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49 (12), pp.1424-1432. 〈10.1016/j.microrel.2009.06.056〉. 〈lirmm-00435866〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

72