Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain

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Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49 (12), pp.1424-1432. 〈10.1016/j.microrel.2009.06.056〉
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Contributeur : Martine Peridier <>
Soumis le : mercredi 25 novembre 2009 - 10:32:19
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:19

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Jean-Robert Manouvrier, Pascal Fonteneau, Charles-Alexandre Legrand, Pascal Nouet, Florence Azaïs. Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain. Microelectronics Reliability, Elsevier, 2009, 49 (12), pp.1424-1432. 〈10.1016/j.microrel.2009.06.056〉. 〈lirmm-00435866〉

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