Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2009
Martine Peridier : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00435866
Soumis le : mercredi 25 novembre 2009-10:32:19
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : lirmm-00435866 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2009.06.056
Citer
Jean-Robert Manouvrier, Pascal Fonteneau, Charles-Alexandre Legrand, Pascal Nouet, Florence Azaïs. Characterization of the Transient Behavior of Gated/STI Diodes and their Associated BJT in the CDM Time Domain. Microelectronics Reliability, 2009, 49 (12), pp.1424-1432. ⟨10.1016/j.microrel.2009.06.056⟩. ⟨lirmm-00435866⟩
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