Impact of Resistive-Bridging Defects in SRAM Core-Cell

Résumé : N/A
Type de document :
Communication dans un congrès
DELTA'10: International Symposium on Electronic Design, Test & Applications, Ho Chi Minh, Vietnam. pp.265-270, 2010
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Contributeur : Martine Peridier <>
Soumis le : vendredi 7 janvier 2011 - 16:11:37
Dernière modification le : jeudi 24 mai 2018 - 15:59:24

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  • HAL Id : lirmm-00553592, version 1

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Citation

Renan Alves Fonseca, Luigi Dilillo, Alberto Bosio, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, et al.. Impact of Resistive-Bridging Defects in SRAM Core-Cell. DELTA'10: International Symposium on Electronic Design, Test & Applications, Ho Chi Minh, Vietnam. pp.265-270, 2010. 〈lirmm-00553592〉

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