Cellule mémoire volatile/non-volatile - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Access content directly
Patents Year : 2011

Volatile/Non-Volatile Memory Cell

Cellule mémoire volatile/non-volatile

Abstract

The invention concerns a memory device comprising at least one memory cell comprising: a first transistor (102) coupled between a first storage node (106) and a first resistance switching element (202) programmed to have a first resistance; and a second transistor (104) coupled between a second storage node (108) and a second resistance switching element (204) programmed to have a second resistance, a control terminal of said first transistor being coupled to said second storage node, and a control terminal of said second transistor being coupled to said first storage node; and control circuitry (602) adapted to store a data value (DNV) at said first and second storage nodes by coupling said first and second storage nodes to a first supply voltage (VDD, GND), the data value being determined by the relative resistances of the first and second resistance switching elements.
L'invention concerne un dispositif mémoire comprenant au moins une cellule mémoire comprenant : un premier transistor (102) couplé entre un premier noeud de mémorisation (106) et un premier élément à commutation de résistance (202) programmé pour avoir une première résistance ; et un deuxième transistor (104) couplé entre un deuxième noeud de mémorisation (108) et un deuxième élément à commutation de résistance (204) programmé pour avoir une deuxième résistance, une borne de commande du premier transistor étant couplée au deuxième noeud de mémorisation, et une borne de commande du deuxième transistor étant couplée au premier noeud de mémorisation ; et un circuit de commande (602) adapté pour mémoriser une valeur de données (D ) sur les premier et deuxième noeuds de mémorisation en couplant les premier et deuxième noeuds de mémorisation à une première tension d'alimentation (V , GND), la valeur de données étant déterminée par les résistances relatives des premier et deuxième éléments à commutation de résistance.
No file

Dates and versions

lirmm-00861516 , version 1 (12-09-2013)

Identifiers

  • HAL Id : lirmm-00861516 , version 1

Cite

Yoann Guillemenet, Lionel Torres, Guillaune Prenat, Kholdoun Tork, Gregory Di Pendina. Cellule mémoire volatile/non-volatile. France, N° de brevet: FR1150402A. 2011. ⟨lirmm-00861516⟩
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