Element de memoire non-volatile - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Access content directly
Patents Year : 2011

Nichtflüchtiges speicherelement

Non-volatile memory element

Element de memoire non-volatile

Yoann Guillemenet
  • Function : Author
  • PersonId : 862822
Lionel Torres

Abstract

The invention concerns a non-volatile memory element comprising: first and second transistors (106, 108) forming an inverter (104) coupled between a first storage node (112) and an output (110) of the memory element; a third transistor (116) coupled between the first storage node (112) and a first supply voltage (GND, VDD) and comprising a control terminal coupled to said output; a first resistance switching element (102) coupled in series with said third transistor and programmed to have one of first and second resistances (Rmin, Rmax) representing a non-volatile data bit; a fourth transistor (118) coupled between said storage node (112) a second supply voltage (VDD, GND); and control circuitry (130) adapted to activate said third transistor at the start of a transfer phase of said non-volatile data bit to said storage node, and to control said fourth transistor to couple said storage node to said second supply voltage during said transfer phase.
L'invention concerne un élément de mémoire non volatile comprenant : des premier et deuxième transistors (106, 108) formant un inverseur (104) couplé entre un premier noeud de mémorisation (112) et une sortie (110) de l'élément de mémoire ; un troisième transistor (116) couplé entre le premier noeud de mémorisation (112) et une première tension d'alimentation (GND, V ) et comprenant une borne de commande couplée à ladite sortie ; un premier élément à commutation de résistance (102) couplé en série avec le troisième transistor et programmé pour avoir l'une d'une première et d'une deuxième résistance (R , R ) représentant un bit de donnée non volatile ; et un quatrième transistor (118) couplé entre le noeud de mémorisation (112) et une deuxième tension d'alimentation (V , GND).
No file

Dates and versions

lirmm-01687790 , version 1 (18-01-2018)

Identifiers

  • HAL Id : lirmm-01687790 , version 1

Cite

Yoann Guillemenet, Lionel Torres. Element de memoire non-volatile. France, N° de brevet: EP2012061268W; FR1155192A. 2011. ⟨lirmm-01687790⟩
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