Exploring potentials of perpendicular magnetic anisotropy STT-MRAM for cache design

Abstract : no abstract
Type de document :
Communication dans un congrès
Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2014 12th IEEE International Conference on, 2014, Unknown, Unknown Region. pp.1-3, 2014, 〈10.1109/ICSICT.2014.7021342〉
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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01248593
Contributeur : Aida Todri-Sanial <>
Soumis le : dimanche 27 décembre 2015 - 21:41:28
Dernière modification le : mardi 25 septembre 2018 - 14:30:02

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Xiaolong Zhang, Yuanqing Cheng, Weisheng Zhao, Youguang Zhang, Aida Todri-Sanial. Exploring potentials of perpendicular magnetic anisotropy STT-MRAM for cache design. Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2014 12th IEEE International Conference on, 2014, Unknown, Unknown Region. pp.1-3, 2014, 〈10.1109/ICSICT.2014.7021342〉. 〈lirmm-01248593〉

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