Comparative study of Bulk, FDSOI and FinFET technologies in presence of a resistive short defect - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Comparative study of Bulk, FDSOI and FinFET technologies in presence of a resistive short defect

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Florence Azais  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01374300

Soumis le : vendredi 30 septembre 2016-11:18:06

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-01374300 , version 1 (30-09-2016)

Identifiants

Citer

Amit Karel, Mariane Comte, Jean-Marc J.-M. Galliere, Florence Azaïs, Michel Renovell. Comparative study of Bulk, FDSOI and FinFET technologies in presence of a resistive short defect. LATS: Latin-American Test Symposium, Mar 2016, Foz do Iguacu, Brazil. pp.129-134, ⟨10.1109/LATW.2016.7483352⟩. ⟨lirmm-01374300⟩

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