Comparative study of Bulk, FDSOI and FinFET technologies in presence of a resistive short defect

Karel Amit 1 Mariane Comte 1 Jean-Marc Galliere 1 Florence Azaïs 1 Michel Renovell 1
1 SysMIC - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
LIRMM - Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Type de document :
Communication dans un congrès
LATS: Latin-American Test Symposium, Mar 2016, Foz do Iguacu, Brazil. 17th IEEE Latin-American Test Symposium, pp.129-134, 2016, 〈10.1109/LATW.2016.7483352〉
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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01374300
Contributeur : Florence Azais <>
Soumis le : vendredi 30 septembre 2016 - 11:18:06
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:19

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Karel Amit, Mariane Comte, Jean-Marc Galliere, Florence Azaïs, Michel Renovell. Comparative study of Bulk, FDSOI and FinFET technologies in presence of a resistive short defect. LATS: Latin-American Test Symposium, Mar 2016, Foz do Iguacu, Brazil. 17th IEEE Latin-American Test Symposium, pp.129-134, 2016, 〈10.1109/LATW.2016.7483352〉. 〈lirmm-01374300〉

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