Comparison Between 0.13 µm PD-SOI Gated Diode and non Gated Diode through DC TCAD Simulations - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Comparison Between 0.13 µm PD-SOI Gated Diode and non Gated Diode through DC TCAD Simulations

Christophe Entringer
  • Fonction : Auteur
P. Flatrese
  • Fonction : Auteur
Pascal Salomé
  • Fonction : Auteur
Pascal Nouet
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
CV
Florence Azaïs
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
CV

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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00106519

Soumis le : lundi 16 octobre 2006-08:38:42

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:48

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00106519 , version 1 (16-10-2006)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00106519 , version 1

Citer

Christophe Entringer, P. Flatrese, Pascal Salomé, Pascal Nouet, Florence Azaïs. Comparison Between 0.13 µm PD-SOI Gated Diode and non Gated Diode through DC TCAD Simulations. EUROSOI'05, Jan 2005, Grenade, Spain. ⟨lirmm-00106519⟩

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