Comparison Between 0.13 µm PD-SOI Gated Diode and non Gated Diode through DC TCAD Simulations

Christophe Entringer P. Flatrese Pascal Salomé Pascal Nouet 1 Florence Azaïs 1
1 SysMIC - Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
LIRMM - Laboratoire d'Informatique de Robotique et de Microélectronique de Montpellier
Type de document :
Communication dans un congrès
EUROSOI'05, Jan 2005, Grenade, Spain. 2005
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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00106519
Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : lundi 16 octobre 2006 - 08:38:42
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:27:18

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00106519, version 1

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Citation

Christophe Entringer, P. Flatrese, Pascal Salomé, Pascal Nouet, Florence Azaïs. Comparison Between 0.13 µm PD-SOI Gated Diode and non Gated Diode through DC TCAD Simulations. EUROSOI'05, Jan 2005, Grenade, Spain. 2005. 〈lirmm-00106519〉

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