Incidence des Défauts Résistifs dans les Circuits de Précharge des Mémoires SRAM - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Access content directly
Conference Papers Year : 2005
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Dates and versions

lirmm-00106529 , version 1 (16-10-2006)

Identifiers

  • HAL Id : lirmm-00106529 , version 1

Cite

Luigi Dilillo, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, Magali Bastian Hage-Hassan. Incidence des Défauts Résistifs dans les Circuits de Précharge des Mémoires SRAM. JNRDM 2005 - 8e Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, May 2005, Paris, France. ⟨lirmm-00106529⟩
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