Incidence des Défauts Résistifs dans les Circuits de Précharge des Mémoires SRAM

Type de document :
Communication dans un congrès
JNRDM'05 : 8ièmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, May 2005, Paris, France. 2005
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Contributeur : Christine Carvalho de Matos <>
Soumis le : lundi 16 octobre 2006 - 08:38:44
Dernière modification le : jeudi 24 mai 2018 - 15:59:24

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  • HAL Id : lirmm-00106529, version 1

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Citation

Luigi Dilillo, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, Magali Hage-Hassan. Incidence des Défauts Résistifs dans les Circuits de Précharge des Mémoires SRAM. JNRDM'05 : 8ièmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Microélectronique, May 2005, Paris, France. 2005. 〈lirmm-00106529〉

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