Resistive-Open Defect Injection in SRAM Core-Cell: Analysis and Comparison Between 0.13 um and 90 nm Technologies

Type de document :
Communication dans un congrès
DAC: Design Automation Conference, Jun 2005, Anaheim, CA, United States. 42nd Design Automation Conference, pp.857-862, 2005
Liste complète des métadonnées

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00136906
Contributeur : Isabelle Gouat <>
Soumis le : jeudi 15 mars 2007 - 16:59:31
Dernière modification le : vendredi 2 mars 2018 - 19:36:02

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-00136906, version 1

Collections

Citation

Luigi Dilillo, Patrick Girard, Serge Pravossoudovitch, Arnaud Virazel, Magali Bastian. Resistive-Open Defect Injection in SRAM Core-Cell: Analysis and Comparison Between 0.13 um and 90 nm Technologies. DAC: Design Automation Conference, Jun 2005, Anaheim, CA, United States. 42nd Design Automation Conference, pp.857-862, 2005. 〈lirmm-00136906〉

Partager

Métriques

Consultations de la notice

40