Electrical Simulation Model of the 2T-FLOTOX Core-Cell for Defect Injection and Faulty Behavior Prediction in eFlash Memories - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Electrical Simulation Model of the 2T-FLOTOX Core-Cell for Defect Injection and Faulty Behavior Prediction in eFlash Memories

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Martine Peridier  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-00158543

Soumis le : vendredi 29 juin 2007-09:52:03

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:49

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-00158543 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

Citer

Olivier Ginez, Jean-Michel Daga, Patrick Girard, Christian Landrault, Serge Pravossoudovitch, et al.. Electrical Simulation Model of the 2T-FLOTOX Core-Cell for Defect Injection and Faulty Behavior Prediction in eFlash Memories. ETS: European Test Symposium, May 2007, Freiburg, Germany. pp.77-82, ⟨10.1109/ETS.2007.20⟩. ⟨lirmm-00158543⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS SYSMIC LIRMM LIRMM_MIC MIC MIPS UNIV-MONTPELLIER
59 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More