Electrical Simulation Model of the 2T-FLOTOX Core-Cell for Defect Injection and Faulty Behavior Prediction in eFlash Memories

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Communication dans un congrès
ETS: European Test Symposium, May 2007, Freiburg, Germany. 12th IEEE European Test Symposium, pp.77-82, 2007, 〈10.1109/ETS.2007.20〉
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Contributeur : Martine Peridier <>
Soumis le : vendredi 29 juin 2007 - 09:52:03
Dernière modification le : jeudi 24 mai 2018 - 15:59:24

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Olivier Ginez, Jean-Michel Daga, Patrick Girard, Christian Landrault, Serge Pravossoudovitch, et al.. Electrical Simulation Model of the 2T-FLOTOX Core-Cell for Defect Injection and Faulty Behavior Prediction in eFlash Memories. ETS: European Test Symposium, May 2007, Freiburg, Germany. 12th IEEE European Test Symposium, pp.77-82, 2007, 〈10.1109/ETS.2007.20〉. 〈lirmm-00158543〉

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