Heavy-ion radiation impact on a 4Mb FRAM under Different Test Conditions - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015

Heavy-ion radiation impact on a 4Mb FRAM under Different Test Conditions

Résumé

The impact of heavy ions on commercial Ferroelectric Memories (FRAMs) is analyzed. Moreover, the influence of different test modes and stimuli on their error rate is investigated.

Domaines

Electronique Physique [physics]

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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01238392

Soumis le : vendredi 4 décembre 2015-17:57:38

Dernière modification le : lundi 16 octobre 2023-16:51:35

Fichier non déposé

Dates et versions

lirmm-01238392 , version 1 (04-12-2015)

Identifiants

Citer

Viyas Gupta, Alexandre Louis Bosser, Georgios Tsiligiannis, Ali Mohammadzadeh, Arto Javanainen, et al.. Heavy-ion radiation impact on a 4Mb FRAM under Different Test Conditions. RADECS: Radiation and Its Effects on Components and Systems, Sep 2015, Moscou, Russia. ⟨10.1109/RADECS.2015.7365617⟩. ⟨lirmm-01238392⟩

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