Experimental Heavy-Ion SEU Cross-Sections Of Sram Memory Components - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Experimental Heavy-Ion SEU Cross-Sections Of Sram Memory Components

Alexandre Louis Bosser
Luigi Dilillo
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
CV
Viyas Gupta
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1231992
Arto Javanainen
  • Fonction : Auteur
University of Jyväskylä
Heikki Kettunen
  • Fonction : Auteur
University of Jyväskylä
Mario Rossi
  • Fonction : Auteur
Georgios Tsiligiannis
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques
Ari Virtanen
  • Fonction : Auteur

Résumé

In this work the heavy ion induced Single Event Upset (SEU) cross-sections and resulting failure rates of SRAM memory components were studied.

Domaines

Electronique Physique [physics]
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Physics Days_2014.pdf (67.5 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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https://hal-lirmm.ccsd.cnrs.fr/lirmm-01238439

Soumis le : lundi 22 juillet 2019-12:01:17

Dernière modification le : lundi 16 octobre 2023-16:51:35

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Dates et versions

lirmm-01238439 , version 1 (22-07-2019)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-01238439 , version 1

Citer

Alexandre Louis Bosser, Luigi Dilillo, Viyas Gupta, Arto Javanainen, Heikki Kettunen, et al.. Experimental Heavy-Ion SEU Cross-Sections Of Sram Memory Components. Physics Days, Finnish Physical Society, Tampere University of Technology (TUT), and Tavicon Ltd., Mar 2014, Tampere, Finland. ⟨lirmm-01238439⟩

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