Vertical Line Fault Mechanism Induced by Heavy Ions in an SLC NAND Flash - LIRMM - Laboratoire d’Informatique, de Robotique et de Microélectronique de Montpellier Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Vertical Line Fault Mechanism Induced by Heavy Ions in an SLC NAND Flash

Résumé

The vertical line fault mechanism occurring in NAND flash devices under heavy-ion irradiation is described in detail. The location where the fault is generated as well as the recovery sequence are identified.

Domaines

Electronique Systèmes embarqués Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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2019_RADECS___Vertical_Line_Fault_Mechanism_Induced_by_Heavy_Ions_in_an_SLC_NAND_Flash___HAL_Version.pdf (1.43 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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Soumis le : mercredi 29 septembre 2021-17:40:49

Dernière modification le : mercredi 10 avril 2024-15:02:48

Archivage à long terme le : jeudi 30 décembre 2021-19:53:00

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Dates et versions

lirmm-03358989 , version 1 (29-09-2021)

Identifiants

Citer

Viyas Gupta, Alexandre Louis Bosser, Lucas Matana Luza, Daniel Söderström, Arto Javanainen, et al.. Vertical Line Fault Mechanism Induced by Heavy Ions in an SLC NAND Flash. RADECS 2019 - 19th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, Sep 2019, Montpellier, France. ⟨10.1109/RADECS47380.2019.9745668⟩. ⟨lirmm-03358989⟩

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